基本信息:
- 专利标题： 一种碳化硅半导体器件终端及其制造方法
- 申请号：CN201910829001.X 申请日：2019-09-03
- 公开(公告)号：CN110534559B 公开(公告)日：2021-07-20
- 发明人： 温正欣 , 叶怀宇 , 张国旗
- 申请人： 深圳第三代半导体研究院
- 申请人地址： 广东省深圳市南山区学苑大道1088号南方科技大学台州楼一楼
- 专利权人： 深圳第三代半导体研究院
- 当前专利权人： 纳宇半导体材料(宁波)有限责任公司
- 当前专利权人地址： 315202 浙江省宁波市镇海区骆驼街道通和路3号厂房四楼北边
- 代理机构： 北京华创智道知识产权代理事务所
- 代理人： 彭随丽
- 主分类号： H01L29/06
- IPC分类号： H01L29/06 ; H01L29/78 ; H01L21/04
摘要：
本发明涉及功率半导体技术领域，公开了一种碳化硅半导体器件终端及其制造方法，该终端结构包含数个阱区辅助环、一结终端扩展、数个结终端辅助环、数个基区辅助环和一钝化层。阱区辅助环位于阱区外侧，结终端扩展紧临阱区，其深度小于阱区的深度。结终端辅助环位于结终端扩展的外侧，基区辅助环位于结终端辅助环外侧。利用较少的光刻次数和离子注入次数，通过引入阱区辅助环、结终端辅助环和基区辅助环，优化高场区的电场分布，从而改善器件的阻断特性，提高了器件阻断电压对终端掺杂浓度的容忍度。本发明还提供了在碳化硅MOSFET器件中使用本终端结构的工艺方法。
公开/授权文献:
- CN110534559A 一种碳化硅半导体器件终端及其制造方法 公开/授权日：2019-12-03