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H01L半导体器件；其他类目未包含的电固体器件
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C07F含除碳、氢、卤素、氧、氮、硫、硒或碲以外的其他元素的无环，碳环或杂环化合物
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H01F磁体；电感；变压器；磁性材料的选择
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G06F电数字数据处理
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G09G使用静态方法显示可变信息的指示装置
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B23K钎焊或脱焊；焊接；用钎焊或焊接方法包覆或镀敷；局部加热切割，如火焰切割；用激光束加工
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C23C对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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G02F用于控制光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如转换、选通、调制或解调，上述器件或装置的光学操作是通过改变器件或装置的介质的光学性质来修改的；用于上述操作的技术或工艺；变频；非线性光学；光学逻辑元件；光学模拟/数字转换器
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G09F显示；广告；标记；标签或铭牌；印鉴
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B32B层状产品，即由扁平的或非扁平的薄层，例如泡沫状的、蜂窝状的薄层构成的产品
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C03B制造、成型或辅助工艺
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C07C无环或碳环化合物
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C07D杂环化合物
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C08G用碳—碳不饱和键以外的反应得到的高分子化合物
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C08L高分子化合物的组合物
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C23F非机械方法去除表面上的金属材料（电浸蚀法加工金属入B23H；火焰法清除表层金属材料入B23K7/00；用激光束加工金属入B23K26/00；除去表面材料产生装饰效果，例如镂蚀法、蚀刻法入B44C1/22；电解蚀刻或抛光入C25F）；金属材料的缓蚀；一般防积垢；至少一种在C23大类中所列的方法及至少一种在C21D、C22F小类或者C25大类中所列的方法之多步法金属材料表面处理
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C30B单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
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H01M用于直接转变化学能为电能的方法或装置，例如电池组
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H04N图像通信，例如电视
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