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H01L半导体器件；其他类目未包含的电固体器件
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1100 |
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C23C对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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405 |
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H01J放电管或放电灯
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130 |
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G03F图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
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82 |
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H01M用于直接转变化学能为电能的方法或装置，例如电池组
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52 |
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G02B光学元件、系统或仪器
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42 |
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C25D覆层的电解或电泳生产工艺方法；电铸；工件的电解法接合；所用的装置
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40 |
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G02F用于控制光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如转换、选通、调制或解调，上述器件或装置的光学操作是通过改变器件或装置的介质的光学性质来修改的；用于上述操作的技术或工艺；变频；非线性光学；光学逻辑元件；光学模拟/数字转换器
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33 |
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B24B用于磨削或抛光的机床、装置或工艺；磨具磨损表面的修理或调节；磨削，抛光剂或研磨剂的进给
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B29C塑料的成型或连接；塑性状态物质的一般成型；已成型产品的后处理，如修整
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30 |
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G09G使用静态方法显示可变信息的指示装置
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28 |
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G06F电数字数据处理
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G01N借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
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21 |
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C30B单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
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14 |
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B08B一般清洁；一般污垢的防除
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10 |
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B23K钎焊或脱焊；焊接；用钎焊或焊接方法包覆或镀敷；局部加热切割，如火焰切割；用激光束加工
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10 |
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G01B长度、厚度或类似线性尺寸的计量；角度的计量；面积的计量；不规则的表面或轮廓的计量
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9 |
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B22F金属粉末的加工；由金属粉末制造制品；金属粉末的制造
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8 |
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C04B石灰；氧化镁；矿渣；水泥；其组合物，例如砂浆、混凝土或类似的建筑材料；人造石；陶瓷；耐火材料；天然石的处理
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8 |
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F16K阀；龙头；旋塞；致动浮子；通风或充气装置
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8 |
