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H01L半导体器件；其他类目未包含的电固体器件
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73 |
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C22C合金
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39 |
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C07F含除碳、氢、卤素、氧、氮、硫、硒或碲以外的其他元素的无环，碳环或杂环化合物
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30 |
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C23C对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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26 |
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H01M用于直接转变化学能为电能的方法或装置，例如电池组
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26 |
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C04B石灰；氧化镁；矿渣；水泥；其组合物，例如砂浆、混凝土或类似的建筑材料；人造石；陶瓷；耐火材料；天然石的处理
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17 |
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C09K不包含在其他类目中的各种应用材料；不包含在其他类目中的材料的各种应用
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16 |
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B32B层状产品，即由扁平的或非扁平的薄层，例如泡沫状的、蜂窝状的薄层构成的产品
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14 |
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C03C玻璃、釉或搪瓷釉的化学成分；玻璃的表面处理；由玻璃、矿物或矿渣制成的纤维或细丝的表面处理；玻璃与玻璃或与其他材料的接合
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14 |
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C07D杂环化合物
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13 |
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C08G用碳—碳不饱和键以外的反应得到的高分子化合物
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13 |
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C01B非金属元素；其化合物
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11 |
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G01N借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
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10 |
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H01G电容器；电解型的电容器、整流器、检波器、开关器件、光敏器件或热敏器件
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9 |
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B01J化学或物理方法，例如，催化作用、胶体化学；其有关设备
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8 |
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C30B单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
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8 |
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B23K钎焊或脱焊；焊接；用钎焊或焊接方法包覆或镀敷；局部加热切割，如火焰切割；用激光束加工
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7 |
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C01G含有不包含在C01D或C01F小类中之金属的化合物
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7 |
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C21D改变黑色金属的物理结构；黑色或有色金属或合金热处理用的一般设备；通过脱碳、回火或其他处理使金属具有韧性
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6 |
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C22B金属的生产或精炼；原材料的预处理
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6 |
