1 |
H01M用于直接转变化学能为电能的方法或装置,例如电池组
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79 |
2 |
C22C合金
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73 |
3 |
C23C对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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41 |
4 |
C04B石灰;氧化镁;矿渣;水泥;其组合物,例如砂浆、混凝土或类似的建筑材料;人造石;陶瓷;耐火材料;天然石的处理
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35 |
5 |
G03F图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
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6 |
B22F金属粉末的加工;由金属粉末制造制品;金属粉末的制造
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28 |
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C03C玻璃、釉或搪瓷釉的化学成分;玻璃的表面处理;由玻璃、矿物或矿渣制成的纤维或细丝的表面处理;玻璃与玻璃或与其他材料的接合
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28 |
8 |
B32B层状产品,即由扁平的或非扁平的薄层,例如泡沫状的、蜂窝状的薄层构成的产品
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26 |
9 |
H01L半导体器件;其他类目未包含的电固体器件
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22 |
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C21D改变黑色金属的物理结构;黑色或有色金属或合金热处理用的一般设备;通过脱碳、回火或其他处理使金属具有韧性
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20 |
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C01B非金属元素;其化合物
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19 |
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C22B金属的生产或精炼;原材料的预处理
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19 |
13 |
C25B生产化合物或非金属的电解工艺或电泳工艺;其所用的设备
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19 |
14 |
C09K不包含在其他类目中的各种应用材料;不包含在其他类目中的材料的各种应用
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15 |
15 |
C25D覆层的电解或电泳生产工艺方法;电铸;工件的电解法接合;所用的装置
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15 |
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C03B制造、成型或辅助工艺
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14 |
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C30B单晶生长(用超高压的,例如用于金刚石形成的入B01J3/06);共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼(金属或合金的区熔精炼入C22B);具有一定结构的均匀多晶材料的制备(金属铸造,按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D;塑料的加工入B29;改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F);单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
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13 |
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B01J化学或物理方法,例如,催化作用、胶体化学;其有关设备
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19 |
C25C电解法生产、回收或精炼金属的工艺;其所用的设备
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C23F非机械方法去除表面上的金属材料(电浸蚀法加工金属入B23H;火焰法清除表层金属材料入B23K7/00;用激光束加工金属入B23K26/00;除去表面材料产生装饰效果,例如镂蚀法、蚀刻法入B44C1/22;电解蚀刻或抛光入C25F);金属材料的缓蚀;一般防积垢;至少一种在C23大类中所列的方法及至少一种在C21D、C22F小类或者C25大类中所列的方法之多步法金属材料表面处理
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