| 1 |
C08G用碳—碳不饱和键以外的反应得到的高分子化合物
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109 |
| 2 |
C07D杂环化合物
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76 |
| 3 |
C07C无环或碳环化合物
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61 |
| 4 |
H01M用于直接转变化学能为电能的方法或装置，例如电池组
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58 |
| 5 |
C08L高分子化合物的组合物
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53 |
| 6 |
A61K医用、牙科用或梳妆用的配制品
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51 |
| 7 |
C09K不包含在其他类目中的各种应用材料；不包含在其他类目中的材料的各种应用
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50 |
| 8 |
C23C对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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48 |
| 9 |
H01L半导体器件；其他类目未包含的电固体器件
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42 |
| 10 |
C04B石灰；氧化镁；矿渣；水泥；其组合物，例如砂浆、混凝土或类似的建筑材料；人造石；陶瓷；耐火材料；天然石的处理
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37 |
| 11 |
C08F仅用碳—碳不饱和键反应得到的高分子化合物
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35 |
| 12 |
C08K使用无机物或非高分子有机物作为配料
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35 |
| 13 |
C22C合金
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34 |
| 14 |
G01N借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
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33 |
| 15 |
C01B非金属元素；其化合物
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32 |
| 16 |
B32B层状产品，即由扁平的或非扁平的薄层，例如泡沫状的、蜂窝状的薄层构成的产品
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31 |
| 17 |
C07F含除碳、氢、卤素、氧、氮、硫、硒或碲以外的其他元素的无环，碳环或杂环化合物
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29 |
| 18 |
B01D分离
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25 |
| 19 |
C08J加工；配料的一般工艺过程；不包括在C08B，C08C，C08F，C08G或C08H小类中的后处理
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25 |
| 20 |
C02F水、废水、污水或污泥的处理
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24 |
