基本信息:
- 专利标题： 一种基于掩膜修复的电路板双模态缺陷样本生成方法
- 申请号：CN202510230562.3 申请日：2025-02-28
- 公开(公告)号：CN120198372A 公开(公告)日：2025-06-24
- 发明人： 罗家祥 , 陈佳煊 , 蓝浩文 , 阎旭 , 张桦亮
- 申请人： 华南理工大学
- 申请人地址： 广东省广州市天河区五山路381号
- 专利权人： 华南理工大学
- 当前专利权人： 华南理工大学
- 当前专利权人地址： 广东省广州市天河区五山路381号
- 代理机构： 广州市华学知识产权代理有限公司
- 代理人： 蔡克永
- 主分类号： G06T7/00
- IPC分类号： G06T7/00 ; G06T5/77 ; G06T5/73 ; G06T7/50 ; G06N3/0464 ; G06N3/094
摘要：
本发明公开一种基于掩膜修复的电路板双模态缺陷样本生成方法，首先生成掩膜，将其与电路板图像相加，生成掩模图像；掩模图像输入掩膜修复模块生成掩膜修复图像，同时掩膜图像输入边缘生成模块生成缺陷边缘图像；接着将掩膜修复图像和缺陷边缘图像输入带有边缘注意力模块的缺陷生成网络中生成缺陷图像；最后以生成的电路板缺陷图像作为条件，生成对应的电路板缺陷深度图。本发明通过基于掩膜修复的网络架构实现了高质量的电路板双模态缺陷样本的生成，生成的缺陷具有多样性和真实性，从而解决了目前电路板缺陷样本稀少影响基于深度学习的缺陷检测算法研发的问题。
IPC结构图谱:
| G | 物理 |
| --G06 | 计算；推算；计数 |
| ----G06T | 一般的图像数据处理或产生 |
| ------G06T7/00 | 图像分析，例如从位像到非位像 |