基本信息:
- 专利标题： 一种低成本硅异质结太阳能电池及其制备方法
- 申请号：CN202411945653.7 申请日：2024-12-27
- 公开(公告)号：CN119894112A 公开(公告)日：2025-04-25
- 发明人： 崔家鑫 , 汤安民 , 郭小勇 , 黎剑骑 , 王鸿渝 , 唐旋 , 蒋万昌 , 何堂贵
- 申请人： 眉山琏升光伏科技有限公司
- 申请人地址： 四川省眉山市丹棱县（四川丹棱经济开发区A区）兴欣大道1号
- 专利权人： 眉山琏升光伏科技有限公司
- 当前专利权人： 眉山琏升光伏科技有限公司
- 当前专利权人地址： 四川省眉山市丹棱县（四川丹棱经济开发区A区）兴欣大道1号
- 代理机构： 成都九鼎天元知识产权代理有限公司
- 代理人： 刘磊
- 主分类号： H10F10/166
- IPC分类号： H10F10/166 ; H10F71/10 ; H10F77/30 ; H10F77/20
摘要：
本发明涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种低成本硅异质结太阳能电池及其制备方法，其受光面包括微晶硅薄膜和金属电极，所述金属电极下方的微晶硅薄膜上设置有正面透明导电薄膜，其余微晶硅薄膜上设置有减反膜。通过在金属电极下方设置正面透明导电薄膜，相较于常规异质结太阳能电池减少了正面透明导电薄膜的面积，大幅降低生产成本。