基本信息:
- 专利标题： 一种DLC辅助应力释放GaN/金刚石的集成方法
- 申请号：CN202510089480.1 申请日：2025-01-21
- 公开(公告)号：CN119890032A 公开(公告)日：2025-04-25
- 发明人： 孙庆磊 , 李嘉宁 , 蒋宏勇 , 刘富初 , 崔粲 , 李施霖 , 陈博远
- 申请人： 广州南沙地大滨海研究院 , 中国地质大学（武汉）
- 申请人地址： 广东省广州市南沙区南江二路8号广州视联国际科技广场A15、A16栋
- 专利权人： 广州南沙地大滨海研究院,中国地质大学（武汉）
- 当前专利权人： 广州南沙地大滨海研究院,中国地质大学（武汉）
- 当前专利权人地址： 广东省广州市南沙区南江二路8号广州视联国际科技广场A15、A16栋
- 代理机构： 北京中北知识产权代理有限公司
- 代理人： 朱玲丽
- 主分类号： H01L21/02
- IPC分类号： H01L21/02 ; H01L21/683 ; H01L23/373
摘要：
本发明公开了一种DLC辅助应力释放GaN/金刚石的集成方法，包括样品预处理、制备DLC辅助层、制备GaN/金刚石的散热模块以及抛磨Si/DLC辅助层得到完整的GaN/金刚石模块。本发明的有益效果是：在生长金刚石外延层的过程中，使用石墨毡覆盖包裹DLC辅助层，保温并产生热量梯度，以辅助GaN进行应力释放，提高GaN的稳定性和GaN/金刚石模块的成品率。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |