基本信息:
- 专利标题： 一种PVT法生长高纯4H-SiC单晶的方法
- 申请号：CN202411150487.1 申请日：2024-08-21
- 公开(公告)号：CN119028812A 公开(公告)日：2024-11-26
- 发明人： 徐永宽 , 刘俊平 , 马文成 , 齐小方 , 陈建丽
- 申请人： 天津理工大学
- 申请人地址： 天津市西青区宾水西道391号
- 专利权人： 天津理工大学
- 当前专利权人： 天津理工大学
- 当前专利权人地址： 天津市西青区宾水西道391号
- 代理机构： 北京领果世纪知识产权代理有限公司
- 代理人： 王杰
- 主分类号： H01L21/02
- IPC分类号： H01L21/02 ; H01L21/67
摘要：
本发明公开了一种PVT法生长高纯4H‑SiC单晶的方法，属于半导体技术领域。在SiC晶体生长之前，对SiC衬底的Si面进行电化学刻蚀预处理，具体为：将SiC衬底的Si面裸露，C面遮掩；衬底遮掩面连接石墨电极用作阳极，阴极选用石墨电极或铂电极；阳极与阴极对称放置，将SiC衬底置于电解液中，连接电源对衬底生长面进行电化学刻蚀；将电化学刻蚀好的衬底继续置于电解液中浸泡，再置于去离子水中浸泡超声，最后用惰性气体吹干。本发明提供的一种PVT法生长高纯4H‑SiC单晶的方法，在SiC晶体PVT法生长前，对SiC衬底的Si面进行电化学刻蚀预处理，能够提供更多的成核位点，降低4H在Si面成核能，为4H‑SiC成核生长提供窗口，减少氮元素的吸收，稳定高纯4H‑SiC单晶的生长。
公开/授权文献:
- CN119028812B 一种PVT法生长高纯4H-SiC单晶的方法 公开/授权日：2025-06-20
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |