基本信息:
- 专利标题： 一种用于锗晶片的抛光液及其制备方法
- 专利标题（英）：Polishing liquid for germanium wafer and preparation method thereof
- 申请号：CN200610087601.6 申请日：2006-06-02
- 公开(公告)号：CN101081965A 公开(公告)日：2007-12-05
- 发明人： 仲跻和
- 申请人： 天津晶岭电子材料科技有限公司
- 申请人地址： 天津市天津开发区微电子工业区中晓园2-B号
- 专利权人： 天津晶岭电子材料科技有限公司
- 当前专利权人： 天津晶岭电子材料科技有限公司
- 当前专利权人地址： 天津市天津开发区微电子工业区中晓园2-B号
- 代理机构： 国嘉律师事务所
- 代理人： 高美岭
- 主分类号： C09G1/02
- IPC分类号： C09G1/02 ; C09G1/14
摘要：
一种用于锗晶片的抛光液，由磨料、表面活性剂、pH值调节剂、螯合剂和去离子水组成，各种成分所占的重量百分比为：磨料10.0％～50.0％；表面活性剂0.1％～1.0％；pH值调节剂1.0％～5.0％；螯合剂0.1％～1.0％；去离子水为余量；抛光液的pH值范围为8～12，粒径为15nm～100nm。所述抛光液的制备方法是：首先将制备抛光液的各种组分分别进行过滤净化处理，然后在千级净化室的环境内，将各种组分在真空负压的动力下，通过质量流量计输入容器罐中并充分搅拌，混合均匀即可。本发明的优点是：抛光速率快，平坦度好；粒径小，晶片表面损伤小；抛光液制备简单，容易操作。
摘要（英）：
The germanium wafer polishing fluid consists of abradant 10.0-50.0 wt%, surfactant 0.1-1.0 wt%, pH value regulator 1.0-5.0 wt%, chelating agent 0.1-1.0 wt% and deionized water for the rest; and has pH 8-12, and grain size of 15-100 nm. It is prepared through filtering all the ingredients, and mixing via stirring under the action of negative pressure in a clean condition. The germanium wafer polishing fluid has the advantages of high polishing speed, high polished flatness, small grain size causing less surface damage of wafer, simple preparation process and easy use.
IPC结构图谱:
| C | 化学；冶金 |
| --C09 | 染料；涂料；抛光剂；天然树脂；黏合剂；其他类目不包含的组合物；其他类目不包含的材料的应用 |
| ----C09G | 虫胶清漆除外的抛光组合物；滑雪屐蜡 |
| ------C09G1/00 | 抛光组合物 |
| --------C09G1/02 | .含有磨料或研磨剂 |