该申请人涉及专利文献：1335，涉及专利：1035件
覆盖主要的IPC大类包括：H01(741)、G03(110)、G01(64)、H10(31)、B81(28)、G06(25)、H03(22)、C23(22)、H04(18)、B24(17)
专利类型分布状况：发明公开(795)、发明申请(202)、实用新型(38)
专利不同法律状态数据分布状况：有效专利(377)、实质审查(258)、公开(212)、无效专利(155)、失效专利(32)
该领域主要的发明人有：李健(57)、陈亚威(53)、黄玮(50)、金华俊(39)、何乃龙(32)、祁树坤(29)、汪广羊(23)、刘腾(21)、程诗康(20)、周耀辉(19)
详细地址：中国 江苏省 无锡市 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 214028
| 专利类型 | 专利名称 | 文献号 |
|---|---|---|
| 发明公开 | 沟槽衬底引出结构及其制造方法、半导体器件 | CN120076386A |
| 发明公开 | 具有隔离结构的半导体器件及隔离结构的制造方法 | CN119947203A |
| 发明授权 | 自对准孔的制备方法及半导体器件 | CN116169094B |
| 发明授权 | 分离栅沟槽MOSFET的制造方法 | CN114388438B |
| 发明公开 | 异常晶圆的诱因识别系统及方法 | CN119694924A |
| 发明授权 | 静电防护器件及静电防护电路 | CN117673074B |
| 发明授权 | 电子设备、半导体器件及其制备方法 | CN114695505B |
| 发明授权 | 阳极短路横向绝缘栅双极晶体管仿真电路及其仿真方法 | CN117556761B |
| 发明授权 | 沟槽侧壁栅极结构的沟槽填充方法 | CN113838748B |
| 发明公开 | 屏蔽栅型器件 | CN119153496A |
| 排名 | 企业名称 | 专利 |
|---|---|---|
| 1 | 无锡华润上华科技有限公司 | 1536 |
| 2 | 无锡华润上华科技有限公司(CN) | 1 |
| 排名 | 发明人 | 专利 |
|---|---|---|
| 1 | 李健 | 57 |
| 2 | 陈亚威 | 53 |
| 3 | 黄玮 | 50 |
| 4 | 金华俊 | 39 |
| 5 | 何乃龙 | 32 |
| 6 | 祁树坤 | 29 |
| 7 | 汪广羊 | 23 |
| 8 | 刘腾 | 21 |
| 9 | 程诗康 | 20 |
| 10 | 周耀辉 | 19 |
| 排名 | 企业名称 | 专利 |
|---|---|---|
| 1 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 623 |
| 2 | 华进联合专利商标代理有限公司 | 261 |
| 3 | 北京市磐华律师事务所 | 203 |
| 4 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 106 |
| 5 | 无锡互维知识产权代理有限公司 | 75 |
| 6 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 61 |
| 7 | 上海光华专利事务所 | 33 |
| 8 | 北京品源专利代理有限公司 | 28 |
| 9 | 上海思微知识产权代理事务所 | 26 |
| 10 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 23 |
| 排名 | 代理人 | 专利 |
|---|---|---|
| 1 | 邓云鹏 | 321 |
| 2 | 虞凌霄 | 162 |
| 3 | 汪洋 | 111 |
| 4 | 常亮 | 105 |
| 5 | 高伟 | 103 |
| 6 | 吴平 | 87 |
| 7 | 李辰 | 70 |
| 8 | 何平 | 45 |
| 9 | 高为 | 39 |
| 10 | 冯永贞 | 36 |